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Si2305CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
V GS = 5 V thr u 2 V
5
4
T C = 125 °C
15
T C = - 55 °C
3
10
V GS = 1.5 V
2
5
1
0
V GS = 1 V
0
T C = 25 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.15
0.12
0.09
V DS -- Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
1 8 00
1500
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
900
0.06
V GS = 2.5 V
600
0.03
0.00
V GS = 4.5 V
300
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
I D -- Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
6
I D = 4.4 A
1.3
1.2
I D = 4.4 A
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V, 1.8 V
V DS = 2 V
1.1
4
V DS = 4 V
V DS = 6.4 V
1.0
0.9
2
0. 8
0
0.7
0
4
8
12
16
20
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64847
S10-0720-Rev. C, 29-Mar-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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